高出力シングルエミッターレーザーダイオードチップ/バー/アレイ/スタック

Name: 高出力シングルエミッターレーザーダイオードチップ/バー/アレイ/スタック
Brand: Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,
SKU: STCXシリーズ
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

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高出力シングルエミッターレーザーダイオードチップ/バー/アレイ/スタック

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商品の詳細:

起源の場所:	中国
ブランド名:	Sintec Optronics
モデル番号:	STCXシリーズ

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高出力シングルエミッターレーザーダイオードチップ/バー/アレイ/スタック

説明

ハイライト:

高性能単発エミッターレーザーダイオード

シングルエミッターレーザーダイオード

半導体レーザー

高出力ダイオードシングルエミッタレーザーチップ/バー/アレイ/スタック

(1) 高出力シングルエミッターレーザーチップ – BC シリーズ

光学
中心波長	nm	915	915	976	976
波長許容差	nm	±10	±10	±3	±3
出力電力	W	25	30	25	30
動作モード	#	CW	CW	CW	CW
速軸発散	度	55	55	55	55
遅軸発散	度	9.5	9.5	9.5	9.5
スペクトル幅 (FWHM)	nm	4	4	4	4
波長温度係数	nm/℃	0.3	0.3	0.33	0.33
TE 偏光	%	97	97	97	97
電気
エミッタ幅	μm	195	230	195	230
キャビティ長さ	んん	4.5	4.5	4.5	4.5
幅	μm	400	400	400	400
厚さ	μm	145	145	145	145
幾何学的な
電気光学変換効率	%	62	62	63	63
斜面効率	あり	1.15	1.15	1.1	1.1
サーシュホールド電流	あ	1.5	1.8	1.1	1.5
動作電流	あ	25	30	25	30
動作電圧	V	1.65	1.65	1.55	1.55

(2) ハイパワーダイオードバー – BB シリーズ

光学
中心波長	nm	808	808	808	808	940	940
波長許容差	nm	±10	±10	±10	±3	±3	±3
出力電力	W	50	60	100	≥500	200	≥700
速軸発散	度	≤65	≤65	≤65	≤65	≤55	≤55
遅軸発散	度	≤8.5	≤8.5	≤8.5	≤8.5	≤8.5	≤8.5
スペクトル幅 (FWHM)	nm	≤2.5	≤2.5	≤3	≤3.5	≤3	5
TE 偏光	TM/TE	TE	TE	TE	TE	TE	TE
波長温度係数	nm/℃	0.28	0.28	0.28	0.28	0.3	0.3
電気
電気光学変換効率	%	≥55	≥55	≥55	≥58	≥63	≥63
斜面効率	あり	1.25	1.25	1.25	1.25	1	1.15
閾値電流	あ	8	12	15	25	25	25
動作電流	あ	50	60	105	≤430	220	650
動作電圧	V	1.8	1.8	1.8	2.0	1.55	1.7
パルス幅	私たち	-	-	-	200	-	500
パルス周波数	Hz	-	-	-	400	-	160
パルスデューティサイクル	%	-	-	-	8	-	8
幾何学的な
エミッターの数	#	19	49	49	34	24	34
エミッタ幅	μm	150	100	100	232	200	232
エミッタピッチ	μm	500	200	200	290	400	290
フィルファクター	%	30	50	50	80	50	80
キャビティ長さ	んん	1.0	1.0	1.5	1.5	3	2
バーの厚さ	μm	145	145	145	115	115	115
バーの長さ	んん	10	10	10	10.25	10.25	10.25
熱の
動作温度	℃	25	25	25	25	20	25
保管温度	℃	40～80	-40～80	40～80	40～80	-40～80	40～80
流速	L/分	/	0.25	0.25	0.20	0.25	0.25

(3) ハイパワーダイオード VCSEL チップ – TOF シリーズ

光学
中心波長@Iop	nm	808	850	940	940
スペクトル幅（半値幅）	nm	2	2	2	2
波長シフト / 温度	nm/℃	0.07	0.07	0.07	0.07
エミッタ開口部	μm	10	10	10	10
エミッタ最小ピッチ	μm	44	47	33	40
エミッタ番号	/	621	1216	305	364
出力電力	W	3.1	4	2.1	3.1
動作電流	あ	3.5	5	2.8	3.5
消費電力	W	7	10	5.6	7
動作電圧	V	2	2	2	2
稼働効率	%	35	40	40	40
閾値電流	あ	0.7	1.2	0.38	0.47
発散角	°	22	22	20	20
幾何学的な
エミッタ長さ	μm	916	1535年	525	916
エミッタ幅	μm	901	1560年	615	610
チップ長さ	μm	1206	1845年	695	996
チップ幅	μm	1006	1670年	795	890
チップ厚さ	μm	100	100	100	100

(4) ハイパワーダイオード VCSEL チップ – SL シリーズ

光学
中心波長@Iop	nm	934	940	946
スペクトル幅（半値幅）	nm		2
波長シフト / 温度	nm/℃		0.07
エミッタ開口部	μm		8
エミッタ最小ピッチ	μm		21
エミッタ番号(Aエリア)	-		377
エミッタ番号(エリアB)	-		6
出力電力(エリアA)	W	1.3	1.5	1.7
出力電力(エリアB)	W		0.024
単一点電力	W		0.004
動作電流(A領域)	あ		3.6
動作電流(B領域)	あ		0.06
消費電力(エリアA)	W		3.6
消費電力(エリアB)	W		0.06
動作電圧	V		2
稼働効率	%		40	45
閾値電流(A領域)	あ		0.38
閾値電流(B領域)	あ		0.006
発散角	°		20
幾何学的な
発光ゾーンの長さ	μm		523
発光領域幅	μm		548
チップ長さ	μm	758	778	798
チップ幅	μm	701	721	741
チップ厚さ	μm	90	100	110

(5) 高出力ダイオード VCSEL チップ – LI シリーズ

光学
中心波長	nm	905	940
スペクトル幅（半値幅）	nm	2	2
波長シフト / 温度	nm/℃	0.07	0.07
エミッタ開口部	μm	12	12
エミッタ最小ピッチ	μm	22	22
エミッタ番号	/	136	136
出力電力	W	60	60
動作電流	あ	15	15
消費電力	W	300	300
動作電圧	V	25	25
稼働効率	%	20	20
閾値電流	あ	0.2	0.2
発散角	°	20	20
幾何学的な
エミッタ長さ	μm	273	273
エミッタ幅	μm	288	288
チップ長さ	μm	520	520
チップ幅	μm	401	401
チップ厚さ	μm	100	100

(6) 高出力ダイオードレーザー装置 COSシリーズ

光学
中心波長	nm	915	915	976	976
波長許容差	nm	±10	±10	±3	±3
出力電力	W	25	30	25	30
動作モード	#	CW	CW	CW	CW
速軸発散	度	55	55	55	55
遅軸発散	度	9.5	9.5	9.5	9.5
スペクトル幅 (FWHM)	nm	4	4	4	4
波長温度係数	nm/℃	0.3	0.3	0.33	0.33
TE 偏光	%	97	97	97	97
電気
電気光学変換効率	%	62	62	63	63
斜面効率	あり	1.15	1.15	1.1	1.1
サーシュホールド電流	あ	1.5	1.8	1.1	1.5
動作電流	あ	25	30	25	30
動作電圧	V	1.65	1.65	1.55	1.55
幾何学的な
エミッタ幅	μm	195	230	195	230
キャビティ長さ	んん	4.5	4.5	4.5	4.5
幅	μm	400	400	400	400
厚さ	μm	145	145	145	145

(7) 高出力ダイオードレーザーデバイス – MCC シリーズ

光学
中心波長	nm	808	808	808	808	940	940
波長許容差	nm	±10	±10	±10	±10	±3	±3
出力電力	W	50	60	100	≥500	200	200
速軸発散	度	≤65	≤65	≤65	≤65	≤55	≤55
遅軸発散	度	≤8.5	≤8.5	≤8.5	≤8.5	≤8.5	≤8.5
スペクトル幅 (FWHM)	nm	≤2.5	≤2.5	≤3	≤3.5	≤3	≤3
偏光モード	TM/TE					TE	TE
波長温度係数	nm/℃	0.28	0.28	0.28	0.28	0.3	0.3
電気
電気光学変換効率	%	≥55	≥55	≥55	≥58	≥63	≥63
斜面効率	あり	1.25	1.25	1.25	1.25	1	1.15
サーシュホールド電流	あ	8	12	15	25	25	25
動作電流	あ	50	60	105	≤430	220	650
動作電圧	V	1.8	1.8	1.8	2.0	1.55	1.7
パルス幅	私たち	-	-	-	200	-	500
パルス周波数	Hz	-	-	-	400	-	160
パルスデューティサイクル	%	-	-	-	8	-	8
幾何学的な
エミッターの数	#	19	49	49	34	24	34
エミッタ幅	μm	150	100	100	232	200	232
エミッタピッチ	μm	500	200	200	290	400	290
フィルファクター	%	30	50	50	80	50	80
キャビティ長さ	んん	1.0	1.0	1.5	1.5	3	2
バーの厚さ	μm	145	145	145	115	115	115
バーの長さ	んん	10	10	10	10.25	10.25	10.25
熱の
動作温度	℃	25	25	25	25	20	25
保管温度	℃	-40～80	-40～80	-40～80	-40～80	-40～80	-40～80
水流量	L/分	/	0.25	0.25	0.20	0.25	0.25

(8) 高出力ダイオードレーザースタック – MCP シリーズ

光学
中心波長	nm	808	808	808
波長許容差	nm	±10	±10	±3
出力電力	W	60	100	300
バーの数	#	2～60	2～60	2～60
スペクトル幅 (FWHM)	nm	≤8	≤8	4
動作モード	#	CW	CW	QCW
速軸発散	度	≤42	≤42	40
遅軸発散	度	≤10	≤10	10
波長温度係数	nm/℃	0.28	0.28	0.28
電気
電力変換効率	%	50	50	50
勾配効率/バー	あり	≥1.1	≥1.1	1.1
閾値電流	あ	4.5	4.5	4.5
動作電流	あ	0.16	0.16	290
動作電圧/バール	V	≤2	≤2	1.8
熱の
動作温度	℃	15 ～ 35	15 ～ 35	25
保管温度	℃	0～55	0～55	0～55
バー/水速/バー	l/m	0.3～0.5	0.3～0.5	0.3
入口最大圧力	psi	55	55	55
水の種類	-	脱イオン水	脱イオン水	脱イオン水
純水抵抗率(DI)	kΩ・cm	200～500	200～500	200～500
純水フィルター粒子	μm	＜20	＜20	＜20

(9) 高出力ダイオードレーザースタック – QCP シリーズ

光学
中心波長	nm	808	808
波長許容差	W	±3	±10
バー出力電力/バー	%	300	40
バーの数	%	2～24	60
総出力電力	μm	-	2400
バー間の間隔	-	0.4～1.8	0.9
スペクトル幅 (FWHM)	-	4	8
パルス幅	メートル	50-500	10-100
繰り返し率		1-200	1-10
速軸ダイバージェンス(FWHM)	nm	40	40
遅軸発散度(FWHM)	mW	10	10
波長温度係数		0.28	0.28
電気
電気光学変換効率	%	50	50
勾配効率/バー	あり	1.1	1.1
閾値電流	あ	20	10
動作電流	あ	300	50
動作電圧/バール	V	2	1.8
熱の
水の種類	-	純水	純水
動作温度	℃	25	25
保管温度	℃	-40-85	-40-85

(10) 高出力ダイオードレーザーデバイス – TO シリーズ

光学
		分	典型的	マックス
中心波長	nm	820	830	840
波長許容差	nm		±10
出力電力	W		1.0
スペクトル幅(FWHM)	nm		3.0	4.0
波長温度係数	nm/℃		0.3
電気
電気光学変換効率	%	36	42
斜面効率	あり	1.05	1.1
閾値電流	あ		0.38	0.45
動作電流	あ		1.28	1.40
動作電圧	V		1.8	2.2
熱の
動作温度	℃	0	25	40
保管温度	℃		-20~70