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高出力シングルエミッターレーザーダイオードチップ/バー/アレイ/スタック

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高出力シングルエミッターレーザーダイオードチップ/バー/アレイ/スタック

高出力シングルエミッターレーザーダイオードチップ/バー/アレイ/スタック
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商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Sintec Optronics
モデル番号: STCXシリーズ
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支払条件: 銀行経由のT/T

高出力シングルエミッターレーザーダイオードチップ/バー/アレイ/スタック

説明
ハイライト:

高性能単発エミッターレーザーダイオード

,

シングルエミッターレーザーダイオード

,

半導体レーザー

高出力ダイオード シングルエミッタ レーザー チップ/バー/アレイ/スタック

 

(1) 高出力シングルエミッター レーザー チップ – BC シリーズ

光学          
中心波長 nm 915 915 976 976
波長許容差 nm ±10 ±10 ±3 ±3
出力電力 W 25 30 25 30
動作モード # CW CW CW CW
速軸発散 55 55 55 55
遅軸発散 9.5 9.5 9.5 9.5
スペクトル幅 (FWHM) nm 4 4 4 4
波長温度係数 nm/℃ 0.3 0.3 0.33 0.33
TE 偏光 % 97 97 97 97
電気          
エミッタ幅 μm 195 230 195 230
キャビティ長さ んん 4.5 4.5 4.5 4.5
μm 400 400 400 400
厚さ μm 145 145 145 145
幾何学的な          
電気光学変換効率 % 62 62 63 63
斜面効率 あり 1.15 1.15 1.1 1.1
サーシュホールド電流 1.5 1.8 1.1 1.5
動作電流 25 30 25 30
動作電圧 V 1.65 1.65 1.55 1.55

(2) ハイパワーダイオードバー – BB シリーズ

光学              
中心波長 nm 808 808 808 808 940 940
波長許容差 nm ±10 ±10 ±10 ±3 ±3 ±3
出力電力 W 50 60 100 ≥500 200 ≥700
速軸発散 ≤65 ≤65 ≤65 ≤65 ≤55 ≤55
遅軸発散 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5
スペクトル幅 (FWHM) nm ≤2.5 ≤2.5 ≤3 ≤3.5 ≤3 5
TE 偏光 TM/TE TE TE TE TE TE TE
波長温度係数 nm/℃ 0.28 0.28 0.28 0.28 0.3 0.3
電気              
電気光学変換効率 % ≥55 ≥55 ≥55 ≥58 ≥63 ≥63
斜面効率 あり 1.25 1.25 1.25 1.25 1 1.15
閾値電流 8 12 15 25 25 25
動作電流 50 60 105 ≤430 220 650
動作電圧 V 1.8 1.8 1.8 2.0 1.55 1.7
パルス幅 私たち - - - 200 - 500
パルス周波数 Hz - - - 400 - 160
パルスデューティサイクル % - - - 8 - 8
幾何学的な              
エミッターの数 # 19 49 49 34 24 34
エミッタ幅 μm 150 100 100 232 200 232
エミッタピッチ μm 500 200 200 290 400 290
フィルファクター % 30 50 50 80 50 80
キャビティ長さ んん 1.0 1.0 1.5 1.5 3 2
バーの厚さ μm 145 145 145 115 115 115
バーの長さ んん 10 10 10 10.25 10.25 10.25
熱の              
動作温度 25 25 25 25 20 25
保管温度 40~80 -40~80 40~80 40~80 -40~80 40~80
流速 L/分 / 0.25 0.25 0.20 0.25 0.25

(3) ハイパワー ダイオード VCSEL チップ – TOF シリーズ

光学          
中心波長@Iop nm 808 850 940 940
スペクトル幅(半値幅) nm 2 2 2 2
波長シフト / 温度 nm/℃ 0.07 0.07 0.07 0.07
エミッタ開口部 μm 10 10 10 10
エミッタ最小ピッチ μm 44 47 33 40
エミッタ番号 / 621 1216 305 364
出力電力 W 3.1 4 2.1 3.1
動作電流 3.5 5 2.8 3.5
消費電力 W 7 10 5.6 7
動作電圧 V 2 2 2 2
稼働効率 % 35 40 40 40
閾値電流 0.7 1.2 0.38 0.47
発散角 ° 22 22 20 20
幾何学的な          
エミッタ長さ μm 916 1535年 525 916
エミッタ幅 μm 901 1560年 615 610
チップ長さ μm 1206 1845年 695 996
チップ幅 μm 1006 1670年 795 890
チップ厚さ μm 100 100 100 100

(4) ハイパワー ダイオード VCSEL チップ – SL シリーズ

光学        
中心波長@Iop nm 934 940 946
スペクトル幅(半値幅) nm   2  
波長シフト / 温度 nm/℃   0.07  
エミッタ開口部 μm   8  
エミッタ最小ピッチ μm   21  
エミッタ番号(Aエリア) -   377  
エミッタ番号(エリアB) -   6  
出力電力(エリアA) W 1.3 1.5 1.7
出力電力(エリアB) W   0.024  
単一点電力 W   0.004  
動作電流(A領域)   3.6  
動作電流(B領域)   0.06  
消費電力(エリアA) W   3.6  
消費電力(エリアB) W   0.06  
動作電圧 V   2  
稼働効率 %   40 45
閾値電流(A領域)   0.38  
閾値電流(B領域)   0.006  
発散角 °   20  
幾何学的な        
発光ゾーンの長さ μm   523  
発光領域幅 μm   548  
チップ長さ μm 758 778 798
チップ幅 μm 701 721 741
チップ厚さ μm 90 100 110

(5) 高出力ダイオード VCSEL チップ – LI シリーズ

光学      
中心波長 nm 905 940
スペクトル幅(半値幅) nm 2 2
波長シフト / 温度 nm/℃ 0.07 0.07
エミッタ開口部 μm 12 12
エミッタ最小ピッチ μm 22 22
エミッタ番号 / 136 136
出力電力 W 60 60
動作電流 15 15
消費電力 W 300 300
動作電圧 V 25 25
稼働効率 % 20 20
閾値電流 0.2 0.2
発散角 ° 20 20
幾何学的な      
エミッタ長さ μm 273 273
エミッタ幅 μm 288 288
チップ長さ μm 520 520
チップ幅 μm 401 401
チップ厚さ μm 100 100

(6) 高出力ダイオードレーザー装置 COSシリーズ

光学          
中心波長 nm 915 915 976 976
波長許容差 nm ±10 ±10 ±3 ±3
出力電力 W 25 30 25 30
動作モード # CW CW CW CW
速軸発散 55 55 55 55
遅軸発散 9.5 9.5 9.5 9.5
スペクトル幅 (FWHM) nm 4 4 4 4
波長温度係数 nm/℃ 0.3 0.3 0.33 0.33
TE 偏光 % 97 97 97 97
電気          
電気光学変換効率 % 62 62 63 63
斜面効率 あり 1.15 1.15 1.1 1.1
サーシュホールド電流 1.5 1.8 1.1 1.5
動作電流 25 30 25 30
動作電圧 V 1.65 1.65 1.55 1.55
幾何学的な          
エミッタ幅 μm 195 230 195 230
キャビティ長さ んん 4.5 4.5 4.5 4.5
μm 400 400 400 400
厚さ μm 145 145 145 145

(7) 高出力ダイオードレーザーデバイス – MCC シリーズ

光学              
中心波長 nm 808 808 808 808 940 940
波長許容差 nm ±10 ±10 ±10 ±10 ±3 ±3
出力電力 W 50 60 100 ≥500 200 200
速軸発散 ≤65 ≤65 ≤65 ≤65 ≤55 ≤55
遅軸発散 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5
スペクトル幅 (FWHM) nm ≤2.5 ≤2.5 ≤3 ≤3.5 ≤3 ≤3
偏光モード TM/TE         TE TE
波長温度係数 nm/℃ 0.28 0.28 0.28 0.28 0.3 0.3
電気              
電気光学変換効率 % ≥55 ≥55 ≥55 ≥58 ≥63 ≥63
斜面効率 あり 1.25 1.25 1.25 1.25 1 1.15
サーシュホールド電流 8 12 15 25 25 25
動作電流 50 60 105 ≤430 220 650
動作電圧 V 1.8 1.8 1.8 2.0 1.55 1.7
パルス幅 私たち - - - 200 - 500
パルス周波数 Hz - - - 400 - 160
パルスデューティサイクル % - - - 8 - 8
幾何学的な              
エミッターの数 # 19 49 49 34 24 34
エミッタ幅 μm 150 100 100 232 200 232
エミッタピッチ μm 500 200 200 290 400 290
フィルファクター % 30 50 50 80 50 80
キャビティ長さ んん 1.0 1.0 1.5 1.5 3 2
バーの厚さ μm 145 145 145 115 115 115
バーの長さ んん 10 10 10 10.25 10.25 10.25
熱の              
動作温度 25 25 25 25 20 25
保管温度 -40~80 -40~80 -40~80 -40~80 -40~80 -40~80
水流量 L/分 / 0.25 0.25 0.20 0.25 0.25

(8) 高出力ダイオード レーザー スタック – MCP シリーズ

光学        
中心波長 nm 808 808 808
波長許容差 nm ±10 ±10 ±3
出力電力 W 60 100 300
バーの数 # 2~60 2~60 2~60
スペクトル幅 (FWHM) nm ≤8 ≤8 4
動作モード # CW CW QCW
速軸発散 ≤42 ≤42 40
遅軸発散 ≤10 ≤10 10
波長温度係数 nm/℃ 0.28 0.28 0.28
電気        
電力変換効率 % 50 50 50
勾配効率/バー あり ≥1.1 ≥1.1 1.1
閾値電流 4.5 4.5 4.5
動作電流 0.16 0.16 290
動作電圧/バール V ≤2 ≤2 1.8
熱の        
動作温度 15 ~ 35 15 ~ 35 25
保管温度 0~55 0~55 0~55
バー/水速/バー l/m 0.3~0.5 0.3~0.5 0.3
入口最大圧力 psi 55 55 55
水の種類 - 脱イオン水 脱イオン水 脱イオン水
純水抵抗率(DI) kΩ・cm 200~500 200~500 200~500
純水フィルター粒子 μm <20 <20 <20

(9) 高出力ダイオード レーザー スタック – QCP シリーズ

光学      
中心波長 nm 808 808
波長許容差 W ±3 ±10
バー出力電力/バー % 300 40
バーの数 % 2~24 60
総出力電力 μm - 2400
バー間の間隔 - 0.4~1.8 0.9
スペクトル幅 (FWHM) - 4 8
パルス幅 メートル 50-500 10-100
繰り返し率   1-200 1-10
速軸ダイバージェンス(FWHM) nm 40 40
遅軸発散度(FWHM) mW 10 10
波長温度係数   0.28 0.28
電気      
電気光学変換効率 % 50 50
勾配効率/バー あり 1.1 1.1
閾値電流 20 10
動作電流 300 50
動作電圧/バール V 2 1.8
熱の      
水の種類 - 純水 純水
動作温度 25 25
保管温度 -40-85 -40-85

(10) 高出力ダイオードレーザーデバイス – TO シリーズ

光学        
    典型的 マックス
中心波長 nm 820 830 840
波長許容差 nm   ±10  
出力電力 W   1.0  
スペクトル幅(FWHM) nm   3.0 4.0
波長温度係数 nm/℃   0.3  
電気        
電気光学変換効率 % 36 42  
斜面効率 あり 1.05 1.1  
閾値電流   0.38 0.45
動作電流   1.28 1.40
動作電圧 V   1.8 2.2
熱の        
動作温度 0 25 40
保管温度   -20~70  

SBN シリーズ ダイオード アレイ チップ/バー/スタック

連絡先の詳細
Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,

コンタクトパーソン: Steven

電話番号: +86 15671598018

ファックス: 86-027-51858989

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