| ハイライト: | 電気光学Qスイッチ,BBO ポッケルズ細胞,ポケルズ細胞 |
||
|---|---|---|---|
| 部品番号 | STC-BBO1.8 | STC-BBO2.5 | STC-BBO3.6 | STC-BBO2.8 |
| 寸法 | 25.4×39 | 25.4×39 | 25.4×39 | 20X37.5 |
| クリアアパーチャ | 1.8 | 2.5 | 3.6 | 2.8 |
| 結晶サイズ | 2*2*20 | 3*3*20 | 4*4*20 | 3X3X20 |
| クリスタルの数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 波長範囲 | 410～3500nm | 410～3500nm | 410～3500nm | 410～3500nm |
| 4分の1波電圧 | 2400 | 3600 | 4800 | 3600 |
| 動作波長 | 1064nm | 1064nm | 1064nm | 1064NM |
| 電極 | 金メッキPIN | 金メッキPIN | 金メッキPIN | 金メッキPIN |
| 挿入損失 | <2% | <2% | <2% | <2% |
| 消光比 | ＞1000:1 | ＞1000:1 | ＞1000:1 | ＞1000:1 |
| キャパシタンス | ＞4 | ＞4 | ＞4 | ＞4 |
| LIDT@1064nm、10ns 10Hz | 500MW/cm2 | 500MW/cm2 | 500MW/cm2 | ＞600MW/cm2 |
| 部品番号 | STC-2BBO1.8 | STC-2BBO2.5 | STC-2BBO3.6 |
| 寸法(mm) | 25.4×67 | 25.4×67 | 25.4×67 |
| 有効口径(mm) | 1.8 | 2.5 | 3.6 |
| 結晶サイズ (mm) | 2*2*20 | 3*3*20 | 4*4*20 |
| クリスタルの数 | 2 | 2 | 2 |
| 波長範囲 | 410～3500nm | 410～3500nm | 410～3500nm |
| 1/4 波電圧 (V) | 1200 | 1800 | 2400 |
| 動作波長 | 1064nm | 1064nm | 1064nm |
| 電極 | 金メッキPIN | 金メッキPIN | 金メッキPIN |
| 挿入損失 | <2% | <2% | <2% |
| 消光比 | ＞500:1 | ＞500:1 | ＞500:1 |
| 静電容量 (pF) | ＞4 | ＞4 | ＞4 |
| LIDT@1064nm、10ns 10Hz | 500MW/cm2 | 500MW/cm2 | 500MW/cm2 |
当社の光学グレードの LiNbO3 結晶は、優れた電気光学性能、大きな非線形係数、優れた光学的均一性、安定した機械的および化学的特性、潮解性がなく、半波長電圧が低く、高繰り返し率動作に適用できます。消光比とレーザー損傷閾値が高くなります。LN 電気光学 Q スイッチは Er:YAG、Ho:YAG、Tm:YAG レーザーで広く使用されており、特にレーザー測距における低出力 Q スイッチ出力に適しています。当社はお客様に最もコンパクトな Q スイッチを提供します。さらに、お客様のさまざまな用途に合わせて、お客様の特定の要件に応じて Q スイッチをカスタム設計および製造することもできます。
| 部品番号 | STC-032855G1 | STC-052855G1 | STC-082855G1 | STC-092855G1 |
| 寸法、長さ×幅×高さ、mm | 55×28×24 | 55×28×24 | 55×28×24 | 55×28×24 |
| 有効口径、CA、mm | 2.5 | 5 | 8 | 9 |
| 結晶サイズ、mm | 3x3x25 | 6x6x25 | 9x9x25 | 10×10×25 |
| クリスタルの数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 波面の歪み | λ/8@633nm | |||
| 1/4 波電圧、V | 885 | 1400 | 2400 | 2700 |
| 動作波長 | 1064nm | |||
| 電極 | Cu/Cr PIN | |||
| 挿入損失 | <3% | |||
| 消光比 | ＞500:1 (LN);＞200:1 (MgO:LN) | |||
| 静電容量、pF | <5 | |||
| LIDT@1064nm、10ns 10Hz | ＞100MW/cm2(LN);＞300MW/cm2(MgO:LN) | |||
DKDP 電気光学 Q スイッチ (Q スイッチ、ポッケルスセル) は、その独特の物理的特性と優れた光学品質により、高出力、狭パルス (<10ns) レーザー システムで広く使用されています。
DKDP 結晶は、2000:1 を超える消光比 (632 nm He-Ne レーザーを使用して測定) と 98% の波面歪みを備えた優れた光学品質を備えた一軸結晶です。DKDP 電気光学 Q スイッチング容量は小さい (約 3 ～ 5pF) ため、立ち上がり時間が短く (<0.5ns)、Q スイッチング中に狭いパルス幅のレーザービームを実現できます。市場で広く使用されている電気光学結晶と比較して、DKDP 結晶は、パルス幅 10ns、波長 1064 nm、繰り返し率 10Hz の光学条件下で、より高い損傷閾値 (>1GW/cm2) を持っています。
| 部品番号 | STC-DK10 | STC-DK12 | STC-DK25 | STC-DK30 | STC-DK50 |
| 寸法 | D25×39mm | D25×39mm | D55X80mm | D55X80mm | なし |
| クリアアパーチャ | 10mm | 12mm | 25mm | 30mm | 50mm |
| 4分の1波電圧 | 3200V | 3200V | 6500V | 6800V | 7500V |
| 電極 | ピン | ピン | 銅/クロム | 銅/クロム | 銅/クロム |
| 挿入損失 | <2% | <2% | <2% | <3% | <5% |
| 消光比 | ＞2500:1 | ＞2500:1 | ＞155:1 | ＞1000:1 | ＞700:1 |
| キャパシタンス | <5pF | <5pF | <12pF | <15pF | <35pF |
| LIDT @1064nm、10ns、10Hz | ＞800MW/cm2 | ＞800MW/cm2 | ＞850MW/cm2;
＞1GW/cm2 @500ps |
＞850MW/cm2;
＞1GW/cm2 @500ps |
＞850MW/cm2;
＞1GW/cm2 @500ps |
以下のように、立方体外観、窒素封入、リード線電極などの特定の Q スイッチをカスタム設計および製造できます。詳しいご要望をメールまたはお電話にてお送りください。
コンタクトパーソン: Steven
電話番号: +86 15671598018
ファックス: 86-027-51858989
