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| ハイライト: | 電気光学強度調節器,電光相変調器,オプティックモジュレータードライバ |
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EO モジュレーターとドライバーのリスト
位相変調器
強度変調器
運転者
STK-AMシリーズ電気光学強度変調器は、ニオブ酸リチウムの電気光学効果とプッシュプルマッハツェンダー干渉構造を利用して、光信号の強度変調を実現します。低い挿入損失、高い変調帯域幅、高い消光比、低い半波長電圧、および高い損傷光パワーを特徴としています。この製品は主に、高速光ファイバー通信システムにおける電気光信号変換、光側波帯の生成、量子通信における高消光比光パルスの生成、マイクロ波ファイバーリンクなどの分野に使用されます。
波長はオプション
低い半波電圧
高帯域幅
低い挿入損失
高速光ファイバー通信システム
マイクロ波ファイバーリンク
量子通信
| パラメーター | シンボル | STK-AM-08 | STK-AM-10 | STK-AM-15-10G | STK-AM-15-20G |
| 波長 | 830±40 | 1064±60 | 1550±100nm | 155±100nm | |
| 挿入損失 | イリノイ州 | <5dB | <4dB | <4dB | <4.5dB |
| 光学的リターンロス | オーラル | -40dB | -45dB | -45dB | -45dB |
| 帯域幅 (-3dB) | S21 | 2.5GHz | 10GHz～ | 10GHz | 20GHz |
| 立ち上がり時間 10%~90% | tr | 150ps | 35ps | 35ps | 18ps |
| 半波電圧 @50KHz、RF |
Vπ | 5V | 4.5V | 4V | 5V |
| 半波電圧@バイアス | Vπ | 6V | 6V | 5V | 5V |
| 消光比 | ER | 28dB | 30dB | >25dB | >25dB |
| 入力抵抗 | ZRF | 50@RF、1M@バイアス | |||
| 電気インターフェース | SMA(メス) | K(f) | |||
| 電気的リターンロス | S11 | <-10dB | |||
| 入力ファイバー | PMパンダ遅軸調整 | ||||
| 出力ファイバー | シングルモードファイバーまたはPMファイバー | ||||
| ファイバーコネクタ | FC/APC または顧客指定 | ||||
| 動作温度 | 上 | -10～60℃ | |||
| 保管温度 | テスト | -40～80℃ | |||
| RF入力電力 | 円周率 | <28dBm | |||
| 最大。入力光パワー | ポ | 30mW | 50mW | 100mW | 100mW |
1064nm動作
低い挿入損失
3dB帯域幅 5GHz
低い半波電圧
高い消光比 >50dB
光パルスの発生
光ファイバーセンシングシステム
レーザーモードロック
1064nmの高消光比電気光学強度変調器は、プッシュプル構造を備えた2つのマッハツェンダー強度変調器を統合しており、最大50dBの消光比を達成できます。高速光パルス生成、ファイバーセンシング、レーザーモードロックの分野で使用されています。
| パラメーター | シンボル | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット | ||
| 光学パラメータ | |||||||
| 水晶体 | LiNbO3 X カット Y 支柱 | ||||||
| 導波路プロセス | エイプ | ||||||
| 波長 | 980 | 1064 | 1100 | nm | |||
| 挿入損失* | イリノイ州 | 7 | 8 | dB | |||
| 光学的リターンロス | オーラル | -40 | dB | ||||
| 消光比@DC | ER@DC | 50 | dB | ||||
| 分極消光比* | PER | 25 | 28 | dB | |||
| ファイバ | 入力 | パンダ PM980 | |||||
| 出力 | パンダ PM980 | ||||||
| ファイバーコネクタ | FC/PC、FC/APC、またはユーザー指定 | ||||||
| 電気的パラメータ | |||||||
| 帯域幅(-3dB) | S21 | 5 | GHz | ||||
| 半波電圧 Vpi | RF1とRF2 | Vπ@50KHz | 4.5 | 5 | V | ||
| バイアス 1 とバイアス 2 | Vπ@バイアス | 4 | 5 | V | |||
| 電気的リターンロス | S11 | -12 | -10 | dB | |||
| 入力インピーダンス | RF1とRF2 | ZRF | 50 | ||||
| バイアス 1 とバイアス 2 | ZBIAS | 1M | |||||
| 電気コネクタ | RF1とRF2 | SMA(メス) | |||||
| バイアス 1 とバイアス 2 | 4ピン | ||||||
※コネクタ付
| パラメーター | シンボル | ユニット | 分。 | 典型的。 | 最大。 |
| 入力光パワー | ピン、マックス | dBm | 10 | ||
| RF入力電力 | dBm | 28 | |||
| バイアス電圧 | ヴィバイアス | V | -15 | 15 | |
| 動作温度 | 上 | ℃ | -10 | 60 | |
| 保管温度 | テスト | ℃ | -40 | 85 | |
| 湿度 | RH | % | 5 | 90 | |
| 寸法 | んん | 111x12.5x9 |
STK-AM-10-BW-PP-FA/FP-HER
WL—波長: 10-1064nm
BW—帯域幅: 5G---5GHz
FA/FP - コネクタ: FA---FC/APC;FP---FC/PC
主な特長
C および L バンドの動作
低い挿入損失
3dB帯域幅10GHz
消光比 35/40dB
低い半波電圧
一体型モニターフォトダイオード
テレコルディア GR-468-CORE
マイクロ波ファイバーリンク
量子通信
光パルスの発生
光ファイバーセンシングシステム
レーザーモードロック
MZ プッシュプル構造に基づく 1550nm 高消光比 LiNbO3 電気光学強度変調器は、低い半波長電圧と安定した物理的および化学的特性を備え、デバイスは高い応答速度、高い消光比 (>40dB)、およびしたがって、マイクロ波ファイバーリンク、量子通信、光Qスイッチシステム、レーザーモードロック、およびファイバーセンシングで広く使用されています。
| パラメーター | シンボル | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット | |
| 光学パラメータ | ||||||
| 波長 | 1525年 | 1565年 | nm | |||
| 挿入損失(コネクタあり) | イリノイ州 | 4 | 5 | dB | ||
| 光学的リターンロス | オーラル | -45 | dB | |||
| 消光比@DC | ER@DC | 35 | 40 | dB | ||
| ファイバ | 入力 | パンダPM フジクラ SM 15-P-8/125-UV/UV-400 | ||||
| 出力 | パンダPM フジクラ SM 15-P-8/125-UV/UV-400 | |||||
| ファイバーインターフェース | FC/PC、FC/APC、またはユーザー指定 | |||||
| 電気的パラメータ | ||||||
| 帯域幅(-3dB) | S21 | 10 | 12 | GHz | ||
| 立ち上がり時間(10%~90%) | トル | 35 | ps | |||
| 半波電圧 Vpi | RF | Vπ@50KHz | 5 | V | ||
| バイアス | Vπ@バイアス | 6 | V | |||
| 電気的リターンロス | S11 | -12 | -10 | dB | ||
| フォトダイオードの応答性 | RP | 10-3 | 秋冬 | |||
| 入力インピーダンス | RF | ZRF | 50 | |||
| バイアス | ZBIAS | 1M | ||||
| 電気インターフェース | SMA(メス) | |||||
| 寸法 | 111x12.5x9 | んん | ||||
| パラメーター | シンボル | ユニット | 分。 | 典型的。 | 最大。 |
| 入力光パワー | ピン、マックス | dBm | 20 | ||
| RF入力電力 | dBm | 28 | |||
| バイアス電圧 | ヴィバイアス | V | -20 | 20 | |
| 動作温度 | 上 | ℃ | -10 | 60 | |
| 保管温度 | テスト | ℃ | -40 | 85 | |
| 湿度 | RH | % | 5 | 90 |
WL—波長:15-1550nm
BW—帯域幅:10G---10GHz 20G-20GHz
FA/FP—コネクタ:FA---FC/APC;FP---FC/PC
ER---消光比: 35dB、40dB
当社は上記の電気変調器用のドライバーを提供し、変調器、アンプ、関連コントローラーを統合することができます。ユーザーは手動または自動でバイアス ポイントを設定できます。マニュアル設定モードではバイアスを表示し、EO変調器とアンプを個別に動作させることができます。自動設定モードでは、ユーザーは要求に応じてさまざまなバイアス ポイントを設定でき、バイアス ポイントはロックされて表示されます。変調器の変調性能は、環境温度や振動などの外部要因の影響を受けません。
| シンボル | 分 | 典型的な | マックス | ユニット | ||
| 光学パラメータ | ||||||
| 波長 | 私 | 1520 | 1550 | 1610 | nm | |
| 結晶 | LiNbO3 | |||||
| 挿入損失 | @ピーク | イリノイ州 | 4.5 | 5.5 | dB | |
| @Q | イリノイ州 | 7 | 8 | dB | ||
| 光学的リターンロス | オーラル | -45 | dB | |||
| 消光比@DC | ER@DC | 25 | 28 | dB | ||
| ファイバ | 入力 | パンダPM フジクラ SM 15-P-8/125-UV/UV-400 | ||||
| 出力 | コーニング SMF-28 | |||||
| 電気的パラメータ | ||||||
| 帯域幅 (-3dB) | S21 | 10 | 12 | GHz | ||
| 作業速度 | 10K | 12.5G | bps | |||
| 入力信号フォーマット | NRZ | |||||
| 入力信号振幅 | ヴィ | 0.25 | 0.4 | 0.8 | Vpp | |
| 半波電圧@10Gbps | Vπ | 4.5 | 5.0 | V | ||
| 動的消光比@10Gbps NRZ | DER | 12 | dB | |||
| 立ち上がり時間 (10%-90%) | トル | 30 | 35 | ps | ||
| 追加の振動* | ジッターRMS | 1.1 | 1.7 | 2.0 | ps | |
| 増幅利得 | G | 0 | 25 | dB | ||
| 波による損失 | S11 | -12 | -10 | dB | ||
| 入力インピーダンス@RF入力 | ZRF | 50 | W | |||
| 手動設定モード | ||||||
| バイアス電圧 | ヴィバイアス | -10 | 10 | V | ||
| 調整正確さ | 0.1 | V | ||||
| 自動設定モード | ||||||
| バイアス | ヌル、Q+/-、ピーク | |||||
| 振動周期 | F | 1 | KHz | |||
| 振動振幅 | Vpp | 2%Vπ | ||||
| 高調波消光比 | 40 | 50 | dB | |||
| 光パワーの安定性 | DP | 0.1 | dB | |||
| 義務 | 45 | 55 | % | |||
| その他のパラメータ | ||||||
| 入力インターフェース | SMA(メス) | |||||
| 光インターフェース | 入力 | FC/APC PM | ||||
| 出力 | FC/APC SM | |||||
| 入力電力 | VDC | AC220 | V | |||
| 寸法 | 長さ×幅×高さ | 270×300×90 | んん | |||
| 重さ | <5 | kg | ||||
| ポート | RS232 | |||||
| 表示内容 | マニュアル | 増幅ゲイン、リアルタイムバイアス電圧 | ||||
| 自動 | 増幅ゲイン、バイアスVpi、リアルタイムバイアス電圧、バイアスロックステータス | |||||
注文情報:STK-MU-W-XX-BW-FB-YY-M/A
W：15～1550nm、13～1310nm、10～1064nmなどの波長
XX：NRZ、DPSK、DQPSK、DPQPSK、AN、PMなどの変調方式
BW: 02-2.5G、10-10G、20-20G、40-40Gなどの帯域幅
FB: PP (入力と出力が PM)、PS (入力が PM、出力が SM) などの入出力ファイバ タイプ
YY: FA-FC/APC、FP-FC/PCなどのファイバコネクタ
M/A: 制御モード。M は手動、A は自動です。
STK-KY-PM シリーズ電気光学位相変調器は、ニオブ酸リチウムの電気光学効果を利用して光信号の位相変調を実現し、チタン拡散またはプロトン交換プロセスを使用して光導波路を製造し、二重偏波または単一偏波を実現します。 -偏波位相変調。低い挿入損失、高い変調帯域幅、低い半波長電圧、高いダメージ光パワーなどを備えています。この製品は主に、高速光通信システムにおける光チャープ制御、コヒーレント通信システムにおける位相遅延、光信号の生成に使用されます。光側波帯、量子通信における位相変調、アナログ光ファイバ通信システムにおける誘導ブリルアン散乱（SBS）の低減など。
波長はオプション
低い半波電圧
低い挿入損失
高ダメージ光パワー
光ファイバーセンシングシステム
光ファイバー通信
レーザーコヒーレント合成
位相遅れ（動き）
量子通信
| パラメーター | シンボル | STK-PM830-1 | STK-PM1064-1 | STK-PM1550-1 | STK-PM1550-2 |
| 波長 | 830+/-40 | 1064+/-60 | 1550+/-50nm | ||
| 挿入損失 | イリノイ州 | <5dB | <4dB | <4dB | 4dB |
| 光学的リターンロス | オーラル | -40dB | -45dB | -45dB | -40dB |
| 帯域幅 (-3dB) | S21 | 2.5GHz | 10GHz～ | 300MHz | 10GHz |
| 立ち上がり時間 10%~90% | tr | 150ps | 35ps | 1ns | 35ps |
| Vpi@50KHz | Vπ | 5V | 4.5V | 4V | 4V |
| 入力抵抗 | ZRF | 50 | 1M | 50 | |
| 電気インターフェース | SMA(メス) | 3ピン | SMA(メス) | ||
| 電気的リターンロス | S11 | <-10dB | |||
| 入出力ファイバー | PMパンダ遅軸調整 | ||||
| ファイバーコネクタ | FC/APC または顧客指定 | ||||
| 動作温度 | 上 | -10～60℃ | |||
| 保管温度 | テスト | -40～80℃ | |||
| RF入力電力 | 円周率 | <28dBm | |||
| 最大入力 光パワー |
ポ | 30mW | 100mW | 100mW | 100mW |
STK-MU-SSB-15シリーズ製品は、当社が開発した光CS-SSB変調モジュールです。変調モジュールには、マッハツェンダーデュアル並列変調器、バイアスポイント制御回路、90度ハイブリッドスプリッターが統合されており、安定した信頼性の高い単側波帯変調を実現でき、必要に応じて左右の側波帯制御を切り替えることができます。この製品は主にブリルアンファイバーセンシングシステム、マイクロ波フォトニクス、ガス検出などの分野で使用されます。
主な特長
波長 C バンド
側波帯抑圧比:>30dB
キャリア抑圧比: >26dB
上下の側波帯
使いやすくて信頼できる
光ファイバーセンシングシステム
マイクロ波フォトニクス
ガス検知
光ファイバー通信システム
| パラメーター | シンボル | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| キャリア光源パラメータ (ユーザーが提供) | |||||
| レーザーの種類 | DFB 光源または波長可変光源 | ||||
| 波長 | 私 | 1510 | 1560年 | nm | |
| 線幅 | DN | - | 1 | MHz | |
| 分極消光比 | PER | 20 | - | dB | |
| 力 | 円周率 | 10 | 100 | mW | |
| 変調器仕様パラメータ | |||||
| 変調器の種類 | XカットダブルパラレルMZ変調器 | ||||
| 変調器帯域幅 S21@3dB | BW | 10 | 12 | - | GHz |
| 挿入損失 | イリノイ州 | 7 | 8 | dB | |
| リターンロス | RL | -45 | -50 | - | dB |
| バイアスコントローラーのパラメーター | |||||
| 自動フィードバックバイアスコントローラー | ジッターモード | ||||
| ジッター信号周波数 | 400 | 1000 | 1400 | Hz | |
| ジッター信号振幅 | 10 | 50 | 1000 | mV | |
| プリセット作業点 | 最低点 | ||||
| CS-SSB光出力信号 | |||||
| 単側波帯変調範囲* | F | 1 | 12 | GHz | |
| 入力RF電力 | PRF | -5 | 5 | dBm | |
| 側波帯抑圧比@1550nm | 30 | 35 | - | dB | |
| キャリア抑圧比@1550nm | 26 | 32 | dB | ||
| インターフェース | |||||
| 入力ファイバー | パンダ型偏波保持ファイバ | ||||
| 出力ファイバー | パンダ型偏波保持ファイバ | ||||
| 光ファイバーインターフェース | PM FC/APC スロー軸調整 | ||||
| 入力RF信号インターフェース | SMA(50Ω) | ||||
| バイアスコントローラー通信インターフェース | J30J | ||||
| その他のパラメータ | |||||
| 動作温度 | に | +15 | - | +35 | ℃ |
| 保存温度 | つ | -40 | - | +75 | ℃ |
| 電源 | V | - | 15 | - | V |
| モジュールサイズ | LWH | 160*125*20mm | |||
| 重さ | - | 0.3 | - | Kg | |
主な特長
10G、20G、40GHzのオプションの帯域幅
ゲイン> 25dB
飽和出力 Max.25dBm (11Vpp)
立ち上がり時間 最小<8ps
低ジッター
DC12V電源
使いやすい
高速光ファイバー通信システム
量子通信
ピコ秒パルス増幅
光ファイバーセンシングシステム
10Gドライバーモジュール
10G高出力ドライバーモジュール
20Gドライバーモジュール
40Gドライバーモジュール
STK-KY-MD-XX シリーズ電気光学変調器ドライバは、主にニオブ酸リチウム電気光学強度および位相変調器に使用される広帯域、高出力ドライバ アンプです。動作帯域幅は最大30K～40GHzで、最大8Vppまでの最大42GbpsのNRZ広帯域信号増幅を実現できます。主に高速光ファイバー通信システム、量子通信、ピコ秒パルス増幅、光ファイバーセンシングシステムなどに使用されます。
| パラメーター | シンボル | ユニット | STK-MD-10G | STK-MD-10G-HO | STK-MD-20G | STK-MD-40G | |
| 帯域幅(-3dB) | S21-高 | GHz | >10 | >8 | >20 | >35 | |
| S21-低 | KHz | 30 | 100 | 30 | 30 | ||
| データレート | bps | 100k~12.5G | 100k~10G | 100k~25G | 100k~42G | ||
| 得 | G | dB | >26 | >30 | >28 | >28 | |
| ゲインリップル | DG | dB | <3 | <3 | <3 | <3 | |
| 出力振幅 | ヴァウト | Vpp | 8 | 11 | 8 | 8 | |
| 飽和出力電力 | 追伸 | dBm | 23 | 25 | 23 | 23 | |
| 立ち上がり時間 (10% -90%) | トル | ps | 35 | 40 | 18 | 8 | |
| ジッター | ジッターRMS | ps | <2 | <2 | <1 | <1 | |
| 分離 | S12 | dB | <-40 | ||||
| 電気的リターンロス | S11 | dB | <-12 | <-10 | <-10 | <-10 | |
| RFコネクタ | SMA(メス) | K(f) | |||||
| 動作電圧 | VDC | V | DC12V | ||||
| 動作電流 | イオ | ミリアンペア | <500 | ||||
| 寸法 | 長さ×幅×高さ | んん | 50×33×15 | ||||
| パラメーター | シンボル | ユニット | 分。 | 典型的。 | 最大。 |
| 入力信号振幅 | ヴィン | Vpp | 1.5 | ||
| 動作電圧 | 直流 | V | 11.5 | 13 | |
| 動作温度 | 上 | ℃ | -20 | 60 | |
| 保管温度 | テスト | ℃ | -40 | 85 |
コンタクトパーソン: Steven
電話番号: +86 15671598018
ファックス: 86-027-51858989
