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808nmレーザーダイオードチップ

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808nmレーザーダイオードチップ

808nmレーザーダイオードチップ
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大画像 :  808nmレーザーダイオードチップ

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Sintec Optronics
証明: CE ISO
モデル番号: STDシリーズ
お支払配送条件:
受渡し時間: ストック
支払条件: 銀行経由のT/T
連絡先

808nmレーザーダイオードチップ

説明
サービス: オンラインサービス 適用する: 医学、産業、等。
ビーム径: 1~10mm ビーム発散: 0.2～2mrad
ビーム 品質: M2<1.2 生涯: >10000h
動作電流: 0.5-10A 動作温度: -10℃-50℃
稼働電圧: 3-5v 出力: 1mW-100W
パッケージ: 、蝶、等はにできる。 極化: 垂直または水平
力の安定性: <1% 保存温度: -40℃-85℃
タイプ: ダイオードのレーザー 波長: 405nm-1550nm
ハイライト:

レーザーダイオードチップ

,

ダイオードチップ

,

ダイオードレーザーバー

808nm ～ 976nm のダイオード レーザー チップ、バー、スタック

 

1. STD シリーズ ダイオード レーザー チップおよびバー

特徴：

  • 高出力電力

  • 高い電気光変換効率

  • 高輝度

  • 高信頼性

技術的な利点:

  • 高効率エピタキシャル構造設計

  • 高品質のエピタキシャル材料成長

  • キャビティ表面の特殊な不動態化方法

部品番号 波長 力 動作電流・電圧 述べる
STD-UMC-100-808-TE-6-4.0 808nm 6W 5.7A/1.75V CWシングルチップ
STD-UMC-190-808-TE-10-4.0 808nm 10W 9.5A/1.75 CWシングルチップ
STD-UMC-190-808-TE-12-4.0 808nm 12W 10.5A/1.75V CWシングルチップ
STD-UMC-100-915-TE-12-4.5 915nm 12W 10.5A/1.62V CWシングルチップ
STD-UMC-160-915-TE-18-5.0 915nm 18W 17.5A/1.65V CWシングルチップ
STD-UMC-190-915-TE-22-5.0 915nm 22W 20.0A/1.68V CWシングルチップ
STD-UMC-230-915-TE-25-5.0 915nm 25W 24.5A/1.70V CWシングルチップ
STD-UMC-100-945-TE-12-4.5 945nm 12W 11.5A/1.70V CWシングルチップ
STD-UMC-160-945-TE-18-5.0 945nm 18W 17.5A/1.70V CWシングルチップ
STD-UMC-190-945-TE-22-5.0 945nm 22W 21.5A/1.70V CWシングルチップ
STD-UMC-230-945-TE-25-5.0 945nm 25W 25.0A/1.70V CWシングルチップ
STD-UMC-100-975-TE-12-4.5 975nm 12W 12.5A/1.52V CWシングルチップ
STD-UMC-100-975-TE-15-4.5 975nm 15W 16.0A/1.55​​V CWシングルチップ
STD-UMC-190-975-TE-22-5.0 975nm 22W 23.5A/1.55​​V CWシングルチップ
STD-UMC-230-975-TE-25-5.0 975nm 25W 27.0A/1.55​​V CWシングルチップ
STD-UMC-230-975-TE-30-5.5 975nm 30W 33.0A/1.55​​V CWシングルチップ
STD-UMB-30-19-808-TE-50-1.5 808nm 50W 42.0A/1.80V CWバー
STD-UMB-50-47-808-TE-100-1.5 808nm 100W 92.0A/1.80V CWバー
STD-UMB-50-47-940-TE-120-2.0 940nm 120W 115A/1.65V CWバー
STD-UMB-50-47-976-TE-200-4.0 976nm 200W 195A/1.55​​V CWバー
STD-UMB-75-37-808-TE-300-1.5 808nm 300W 250A/2.00V QCWバー

2. ポンプモジュールとスタック

  • AuSn硬はんだパッケージ構造

  • 高デューティサイクル、高エネルギー密度

  • 濾過水、代替冷却液

  • 狭ピッチ、コンパクトサイズ

  • オプションのシールバンド光導波路アセンブリ

  • オプションの高速コリメーション

  • レーザーポンピング、脱毛などに使用されます。

2.1 ポンプモジュール

部品番号 構造 レーザー出力 レーザー波長
STD-HS12 マクロチャネルスタック 600W～16500W 760nm～1100nm
STD-GS20 伝導冷却スタック 4000W～1000W 760nm～1100nm
STD-L5 マクロチャネル水平スタック 300W～3000W 760nm～1100nm
STD-E27 マクロチャネルスタック 4000W～10000W 760nm～1100nm
STD-MA マイクロチャネルスタック 2500W～15000W 760nm～1100nm
STD-HM7 マイクロチャネルスタック全体 700W～3500W 760nm～1100nm

(1) マクロチャンネルスタック STD-HS12

  • AuSn硬はんだパッケージ構造

  • 高デューティサイクル、高エネルギー密度

  • 濾過水、代替冷却液

  • 狭ピッチ、コンパクトサイズ

  • オプションのシールバンド光導波路アセンブリ

  • オプションの高速コリメーション

  • レーザーポンピング、脱毛などに使用されます。

波長 760～1100nm
ピーク電力、W 600 1200 7200 10000 16500
動作モード QCW
動作電流、A 50 95 550 450 450
最大デューティサイクル、% 25 15 5 1 0.4
バーの数 12 12 12 20 33まで
バー間ピッチ、mm 1.2 1.2 1.2 0.93 0.4
電気/光変換効率、% 58 60まで 56 56 56
速軸発散 FWHM、度 35、オプションの FAC<4 35
遅軸発散 FWHM。度 10
寸法、mm 28.6×24×11.5mm

典型的なパルスエネルギー:

パルス幅 周波数(Hz) イオプ
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
10ミリ秒 13 13 12.7 12.75 13 12.7 13 13 12.9 12.9 95A
20ミリ秒 21 21 21.7 21.5 21.4 21.7 21 21.4 20 20.9 85A
30ミリ秒 31 31.5 32 32 - - - - - - 60A
40ミリ秒 43 41 42 - - - - - - - 60A
50ミリ秒 53 51 - - - - - - - - -
60ミリ秒 61 59.5 - - - - - - - - -
70ミリ秒 70 - - - - - - - - - -
80ミリ秒 50 - - - - - - - - - -
90ミリ秒 54 - - - - - - - - - -
100ミリ秒 60 - - - - - - - - - -

備考：冷却水：温度25度、流量4.5～5.0L/min

(2) 伝導冷却スタック STD-GS20

  • AuSn硬はんだパッケージ構造

  • 高い電力密度

  • オプションの速軸コリメーション

  • 狭ピッチ、コンパクトサイズ

  • オプションのシール保護

  • 単一アレイで複数の波長を実現

  • レーザーポンピング、脱毛などに使用されます。

波長 760～1100nm
ピーク電力、W 4000 6000 10000
動作モード QCW QCW QCW
動作電流、A 200 280 450
最大デューティサイクル、% 1.2 1 0.4
パルス幅、私たち 最大1000 600 200
バーの数 20
バー間ピッチ、mm 0.73
電気/光変換効率、% 52 56 58
速軸発散 FWHM、度 35、オプションの FAC < 4
遅軸発散 FWHM。度 10
寸法、mm 37.5×10×9

(3) マクロチャンネル水平スタック STD-L5

  • AuSn硬はんだパッケージ構造

  • 高い電力密度

  • コンタクトサイズ

  • ポンピングに使用

波長 760～1100nm
ピーク電力、W 300 1500 3000
動作モード CW QCW QCW
動作電流、A 55 280 550
バーの数 5
バー間ピッチ、mm 0.73
電気/光変換効率、% 56 56 58
速軸発散 FWHM、度 35
遅軸発散 FWHM。度 10
寸法、mm 70×14×10

(4) マクロチャンネルスタック STD-E27

  • AuSn硬はんだパッケージ構造

  • 高い電力密度

  • オプションの速軸コリメーション

  • 狭ピッチ、コンパクトサイズ

  • オプションのシール保護

  • 単一アレイで複数の波長を実現

  • レーザーポンピングに使用

波長 760～1100nm
ピーク電力、W 4000 6000 10000
動作モード QCW QCW QCW
動作電流、A 200 280 450
最大デューティサイクル、% 8 5 0.4
パルス幅、私たち 最大1000 600 200
バーの数 20
バー間ピッチ、mm 2.21
電気/光変換効率、% 52 56 58
速軸発散 FWHM、度 35、オプションの FAC < 4
遅軸発散 FWHM。度 10
寸法、mm 37.5×12×13.4

(5) マイクロチャネルスタック STD-HM7 全体

  • AuSn硬はんだパッケージ構造

  • 高い電力密度

  • 狭いスペクトル

  • 濾過水、代替冷却液

  • レーザーポンピングと脱毛に使用されます

波長 760～1100nm
ピーク電力、W 700 2100 3500
動作モード QCW QCW QCW
動作電流、A 100 280 450
最大デューティサイクル、% 40 8 4
パルス幅、私たち 最大1000 600 200
バーの数 7
バー間ピッチ、mm 2.0
電気/光変換効率、% 60 56 58
速軸発散 FWHM、度 35
遅軸発散 FWHM。度 10
寸法、mm 30x13x4.95

2.2 脱毛のためのスタック

部品番号 構造 レーザー出力 レーザー波長
STD-HH05 マクロチャネルスタック 300W/500W 760nm～1100nm
STD-HL07 マクロチャネルスタック 300W～700W 760nm～1100nm
STD-HS12 マクロチャネルスタック 600W～1200W 760nm～1100nm

(1) マクロチャンネルスタック STD-HH05

  • AuSn硬はんだパッケージ構造

  • 長いパルス幅動作に適しています

  • 濾過水、代替冷却液

  • シール保護

  • 高デューティサイクル

  • 脱毛とレーザーポンピングに使用されます

代表的な仕様

波長 760～1100nm
ピーク電力、W 300 500
動作モード QCW QCW
動作電流、A 95 95
最大デューティサイクル、% 20 10
パルス幅、私たち 200 100
バーの数 3 5
バー間ピッチ、mm 5 2.9
電気/光変換効率、% 58 58
速軸発散 FWHM、度 35
遅軸発散 FWHM。度 10
寸法、mm 42x25.27x20

動作条件

  STD-HH05-808 STD-HH03-300-808
1バーあたりのピークパワー、W 100 80 60 100
動作電流、A 95 80 65 95
パルス幅、ミリ秒 最大。周波数、Hz
10 30 40 40 40
20 10 15 20 20
30 10 12 13 13
40 10 10 10 10
50 5 6 8 8
60 4 5 6 6
80 3 4 5 4
100 2 3 4 2
200 - 1 2 1
400 - - 1 -

(2)マクロチャンネルスタック STD-HL07

  • AuSn硬はんだパッケージ構造

  • 長いパルス幅動作に適しています

  • 濾過水、代替冷却液

  • シール保護

  • 高デューティサイクル

  • 脱毛とレーザーポンピングに使用されます

代表的な仕様

波長 760～1100nm
ピーク電力、W 300 500 600 700
動作モード QCW QCW QCW QCW
動作電流、A 50 50 95 95
最大デューティサイクル、% 40 40 10 10
パルス幅、私たち 最大400 最大400 100 100
バーの数 60 10 6 7
バー間ピッチ、mm 2.2 2.2 3.4 2.9
電気/光変換効率、% 58 58 58 58
速軸発散 FWHM、度 35
遅軸発散 FWHM。度 10
寸法、mm 39×40×36

動作条件

  STD-HL06-600-808
STD-HL07-700-808		 STD-HL06-300-808
STD-HL10-500-808
1バーあたりのピークパワー、W 100 80 60 50
動作電流、A 95 80 65 50
パルス幅、ミリ秒 最大。周波数、Hz
10 30 40 40 440
20 10 15 20 20
30 10 12 13 13
40 10 10 10 10
50 5 6 8 8
60 4 5 6 6
80 3 4 5 5
100 2 3 4 4
200 - 1 2 2
400 - - 1 1

(3) マクロチャンネルスタック STD-HS12

  • AuSn硬はんだパッケージ構造

  • 高デューティサイクル、高エネルギー密度

  • 濾過水、代替冷却液

  • 狭ピッチ、コンパクトサイズ

  • オプションのシールバンド光導波路アセンブリ

  • オプションの速軸コリメーション

  • 脱毛とレーザーポンピングに使用されます

波長 760～1100nm
ピーク電力、W 600 1200 7200 10000 16500
動作モード QCW
動作電流、A 50 95 550 450 450
最大デューティサイクル、% 25 15 5 1 0.4
パルス幅、私たち 25 10 0.6 0.4 0.2
バーの数 12 12 12 20 33まで
バー間ピッチ、mm 1.2 1.2 1.2 0.73 0.4
電気/光変換効率、% 58 60まで 56 56 56
速軸発散 FWHM、度 35、オプションの FAC<4 35
遅軸発散 FWHM。度 10
寸法、mm 28.6×24×11.5mm

STD-HS12-1200-808 の代表的なパルスエネルギー (J/cm2):

パルス幅 周波数(Hz) イオプ
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
10ミリ秒 13 13 12.7 12.75 13 12.7 13 13 12.9 12.9 95A
20ミリ秒 21 21 21.7 21.5 21.4 21.7 21 21.4 20 20.9 85A
30ミリ秒 31 31.5 32 32 - - - - - - 60A
40ミリ秒 43 41 42 - - - - - - - 60A
50ミリ秒 53 51 - - - - - - - - -
60ミリ秒 61 59.5 - - - - - - - - -
70ミリ秒 70 - - - - - - - - - -
80ミリ秒 50 - - - - - - - - - -
90ミリ秒 54 - - - - - - - - - -
100ミリ秒 60 - - - - - - - - - -

備考：冷却水：温度25度、流量4.5～5.0L/min

タグ:

ファイバー結合レーザーダイオード、ファイバー結合レーザーダイオードモジュール、シングルエミッターレーザーダイオード,

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連絡先の詳細
Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,

コンタクトパーソン: Steven

電話番号: +86 15671598018

ファックス: 86-027-51858989

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