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100 - 300μJ 500μJ エルビウムドープガラスレーザー マイクロチップダイオード励起レーザー

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100 - 300μJ 500μJ エルビウムドープガラスレーザー マイクロチップダイオード励起レーザー

100 - 300μJ 500μJ エルビウムドープガラスレーザー マイクロチップダイオード励起レーザー
100 - 300μJ 500μJ エルビウムドープガラスレーザー マイクロチップダイオード励起レーザー 100 - 300μJ 500μJ エルビウムドープガラスレーザー マイクロチップダイオード励起レーザー

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商品の詳細:
ブランド名: Sintec Optronics
モデル番号: SEDシリーズ
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100 - 300μJ 500μJ エルビウムドープガラスレーザー マイクロチップダイオード励起レーザー

説明
ハイライト:

エルビウム濃縮ガラスレーザー

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レーザー

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マイクロチップダイオードポンプレーザー

100~300μJ〜500μJ エルビウムドーピングされたガラスマイクロチップダイオードポンプレーザー

部品番号表示図

シリーズ 波長 脈動エネルギー 脈動幅 他

例えば:SED-1535nm-100uJ-3.5nsは,波長1535nm,パルスエネルギー120uJ,パルス幅3.5nsのSEDエルビウムドーピングレーザーである.

1. 100~300 エルビウムドーピングガラスレーザー,SED-1535nm-xxx-3.5ns

100 - 300μJ 500μJ エルビウムドープガラスレーザー マイクロチップダイオード励起レーザー 0

エルビウムガラスレーザーは 1.54μm の目安な波長で放出され,大気窓内では高質のビームを提供します.レーザーレンジングに適していますこのレーザーは,低電力消費,高ピーク電力,狭いパルス幅,コンパクトなサイズ,温度制御を必要としません.安定した眼に安全なレーザー溶液.

技術仕様:

部品番号 SED-1535nm-100uJ-3.5ns SED-1535nm-200uJ-3.5ns SED-1535-300uJ-3.5ns
波長 1535nm 1535nm 1535nm
パルスエネルギー (分/タイプ) ≥100μJ ≥200μJ ≥300μJ
パルス幅,タイプ (FWHM) 3.5ns 3.5ns 3.5ns
パルス重複率 1~20Hz 1~10Hz 1~20Hz
パルス安定性 10% 10% 10%
斑点の直径 0.2mm 0.2mm 0.2mm
線束の偏差角 10mrad 10mrad 10mrad
スポットモード TEM00 TEM00 TEM00
動作温度 -45°C~+65°C -45°C~+65°C -45°C~+65°C
保存温度 -55°C~+85°C -55°C~+85°C -55°C~+85°C
影響 1500G,0.5ms 1500G,0.5ms 1500G,0.5ms
振動 20~2000 Hz/20G 20~2000 Hz/20G 20~2000 Hz/20G
寿命 >500万発 >500万発 >500万発
尺寸 (mm) 25x8x7 25x8x7 25x8x7
体重 8g 8g 8g
電圧 2V 2V 2V
流動 6A 12A 12A
パルス幅 ≥2ms ≥1.8ms ≥2.5ms

100 - 300μJ 500μJ エルビウムドープガラスレーザー マイクロチップダイオード励起レーザー 1

2. 500μJ エルビウムドーピングガラスレーザー,SED-1535nm-500uJ-5ns

100 - 300μJ 500μJ エルビウムドープガラスレーザー マイクロチップダイオード励起レーザー 2

エルビウムガラスレーザーは 1.54μm の目安な波長で発射し,大気窓内の高光束品質を提供します. 500 μJ のパルスエネルギーで,目安なレーザーレンジに適しています.このレーザーは,低電力消費を示しています高ピークパワー,狭いパルス幅,コンパクトなサイズ,温度制御を必要としない.安全で効率的で安定した眼の安全なレーザーソリューションであることが証明されています.

技術仕様:

部品番号 SED-1535nn-500uJ-5ns
波長 1535nm
パルスエネルギー (分/タイプ) ≥500μJ
パルス幅,タイプ (FWHM) 5ns
パルス重複率 1~10Hz
パルス安定性 10%
斑点の直径 0.3mm
線束の偏差角 10mrad
スポットモード TEM00
動作温度 -45°C~+65°C
保存温度 -55°C~+85°C
影響 1500G,0.5ms
振動 20~2000 Hz/20G
寿命 >500万発
尺寸 (mm) 32x8x7
体重 10g
電圧 2V
流動 20A
パルス幅 ≥2.4ms

100 - 300μJ 500μJ エルビウムドープガラスレーザー マイクロチップダイオード励起レーザー 3

32mJ エルビウムドーピングガラスレーザー,SED-1535nm-2mJ-11ns

100 - 300μJ 500μJ エルビウムドープガラスレーザー マイクロチップダイオード励起レーザー 4

このレーザーは,アクティブメディアとしてエルビウムガラスを使用し,波長1.54μmで動作します.効率的に電力をレーザーパワーに変換する優れた光学性能と出力安定性により,一貫して2mJ以上のパルスエネルギーを供給します. コンパクトで軽量で,科学研究,医療工業加工など

技術仕様:

部品番号 SED-1535nm-2mJ-11ns
波長 1535nm
パルスエネルギー (分/タイプ) ≥2mJ
パルス幅,タイプ (FWHM) 11ns
パルス重複率 5Hz
パルス安定性 ±5%
斑点の直径 0.5mm
線束の偏差角 4mrad
スポットモード TEM00
動作温度 -45°C~+65°C
保存温度 -55°C~+85°C
影響 1500G,0.5ms
振動 5~2000 Hz/20G
寿命 >500万発
尺寸 (mm) 60×34×26
体重 120g
電圧 5V
流動 65A
パルス幅 ≥4ms

100 - 300μJ 500μJ エルビウムドープガラスレーザー マイクロチップダイオード励起レーザー 5

連絡先の詳細
Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,

コンタクトパーソン: Steven

電話番号: +86 15671598018

ファックス: 86-027-51858989

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